Les fabricants de micro-processeurs s’intéressent à la MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) depuis les années 1990. Des chercheurs du Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) en collaboration avec Samsung Electronics Foundry Business and Semiconductor R&D Center ont effectué le premier calcul en mémoire basé sur cette technologie et ont publié les résultats de leur recherche dans la revue Nature intitulée : « Un réseau crossbar de dispositifs de mémoire magnétorésistifs pour l’informatique en mémoire ». Cette démarche est vue comme l’une des voies les plus prometteuses pour réaliser des puces d’intelligence artificielle ultra-performantes et sobres.
Date : March 30, 2022 at 12:37PM
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